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DMN2011UFDE-7
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Diodes公司完整型号:DMN2011UFDE-7

制造厂家名称:Diodes Incorporated

描述:MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

系列:-

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):20V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11.7A(Ta)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 7A, 4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):56nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2248pF @ 10V

功率 - 最大值:610mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:6-UDFN2020(2x2)


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