- 产品型号:FDC2612
- 制 造 商:Fairchild(仙童)
- 出厂封装:6-SSOT
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
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Fairchild仙童公司完整型号:FDC2612
制造厂家名称:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
系列:PowerTrench
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.1A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):725 毫欧 @ 1.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):234pF @ 100V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:6-SSOT