- 产品型号:IXTB30N100L
- 制 造 商:IXYS
- 出厂封装:PLUS264
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
深圳市诺森半导电子有限公司提供IXTB30N100L报价、现货供应、技术资料下载获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格,那就马上与我们联系吧!
IXTB30N100L >>> IXYS芯片,深圳市诺森半导电子有限公司提供IXYS公司IXTB30N100L报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载,想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗?那就马上与我们联系吧!
采购IXTB30N100L?不再犹豫,找我们没错!对有长期需求的制造商,提供免费样品!从前期的产品试产到大批量生产,我们将提供性价比最高的现货供应服务!
IXYS公司完整型号:IXTB30N100L
制造厂家名称:IXYS
描述:MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):30A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):545nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13200pF @ 25V
功率 - 最大值:800W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
供应商器件封装:PLUS264