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BSC252N10NSF G
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Infineon英飞凌公司完整型号:BSC252N10NSF G

制造厂家名称:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8

系列:OptiMOS?

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):100V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.2A(Ta),40A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):25.2 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 43μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 50V

功率 - 最大值:78W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)


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