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BSO303P H
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Infineon英飞凌公司完整型号:BSO303P H

制造厂家名称:Infineon Technologies

描述:MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8

系列:OptiMOS?

FET 类型:2 个 P 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):30V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8.2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2678pF @ 25V

功率 - 最大值:2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:PG-DSO-8


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