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BSZ025N04LSATMA1
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Infineon英飞凌公司完整型号: BSZ025N04LSATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压(Vdss): 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 22A(Ta),40A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 2.5 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 52nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 3680pF @ 20V

功率 - 最大值: 2.1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL (3.3x3.3)


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