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IPA045N10N3 G
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Infineon英飞凌公司完整型号:IPA045N10N3 G

制造厂家名称:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP

系列:OptiMOS?

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):100V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):64A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 64A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 150μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):117nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8410pF @ 50V

功率 - 最大值:39W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3 整包

供应商器件封装:PG-TO220-FP


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