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IPD90P04P4L04ATMA1
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Infineon英飞凌公司完整型号: IPD90P04P4L04ATMA1

制造厂家名称: Infineon Technologies

功能总体简述: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3

系列: OptiMOS?

FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压(Vdss): 40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 90A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4.3 毫欧 @ 90A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 176nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 11570pF @ 25V

功率 - 最大值: 125W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

供应商器件封装: PG-TO252-3-313


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