- 产品型号:IPG20N06S2L-65
- 制 造 商:Infineon(英飞凌)
- 出厂封装:PG-TDSON-8-4
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
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Infineon英飞凌公司完整型号:IPG20N06S2L-65
制造厂家名称:Infineon Technologies
描述:MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
系列:OptiMOS?
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):65 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 14μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):410pF @ 25V
功率 - 最大值:43W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PG-TDSON-8-4(5.15x6.15)