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IPP084N06L3 G
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Infineon英飞凌公司完整型号:IPP084N06L3 G

制造厂家名称:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220-3

系列:OptiMOS?

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):60V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.4 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 34μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4900pF @ 30V

功率 - 最大值:79W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220-3

供应商器件封装:TO-220-3


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