MG12150D-BA1MM >>> Littelfuse芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供Littelfuse公司MG12150D-BA1MM报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购MG12150D-BA1MM？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

制造商零件编号：MG12150D-BA1MM

制造商：Littelfuse Inc.

描述：IGBT 1200V 210A 1100W PKG D

零件状态：在售

IGBT 类型：-

配置：半桥

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：210A

功率 - 最大值：1100W

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.8V @ 15V，150A（标准）

电流 - 集电极截止（最大值）：1mA

不同 Vce 时的输入电容（Cies）：11nF @ 25V

输入：标准

NTC 热敏电阻：无

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：D3