- 产品型号:NGD8209NT4G
- 制 造 商:Littelfuse(力特半导体)
- 出厂封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 功能类别:晶体管UGBT单端MOSFET
- 功能描述:IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
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制造商零件编号:NGD8209NT4G
制造商:Littelfuse Inc.
描述:IGBT 410V 12A 125W DPAK-3
零件状态:在售
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):445V
电流 - 集电极(Ic)(最大值):12A
脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):2.3V @ 4.5V,10A
功率 - 最大值:94W
开关能量:-
输入类型:逻辑
栅极电荷:-
25°C 时 Td(开/关)值:-
测试条件:-
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装:DPAK