- 产品型号:LN60A01ES-LF
- 制 造 商:MPS(美国芯源半导体)
- 出厂封装:8-SOIC
- 功能类别:FET - 阵列
- 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
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MPS美国芯源半导体完整型号: LN60A01ES-LF
制造厂家名称: Monolithic Power Systems Inc.
功能总体简述: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
系列: -
FET 类型: 3 N 沟道,共栅
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 80mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 190 欧姆 @ 10mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
功率 - 最大值: 1.3W
安装类型: *
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC