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Microchip公司完整型号：DN2625DK6-G

制造厂家名称：Microchip Technology

描述：MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：耗尽模式

漏源极电压 (Vdss)：250V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 欧姆 @ 1A， 0V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7.04nC @ 1.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1000pF @ 25V

功率 - 最大值：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：8-DFN （5x5）