- 产品型号:APTM100H45SCTG
- 制 造 商:Microsemi(美高森美)
- 出厂封装:SP4
- 功能类别:场效应管模块
- 功能描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
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Microsemi美高森美完整型号:APTM100H45SCTG
制造厂家名称:Microsemi Power Products Group
描述:MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4
系列:POWER MOS 7
FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):540 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):154nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4350pF @ 25V
功率 - 最大值:357W
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP4
供应商器件封装:SP4