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CSD16556Q5B
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TI德州仪器公司完整型号:CSD16556Q5B

制造厂家名称:Texas Instruments

描述:MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

系列:NexFET?

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):25V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):100A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.07 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):47nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6180pF @ 15V

功率 - 最大值:3.2W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:8-VSON (5x6)


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