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BUK9K35-60E,115
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NXP恩智浦完整型号:BUK9K35-60E,115

制造厂家名称:NXP Semiconductors

描述:MOSFET 2N-CH 60V 22A LFPAK56D

系列:TrenchMOS?

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):60V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):22A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):32 毫欧 @ 5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1081pF @ 25V

功率 - 最大值:38W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-1205, 8-LFPAK56

供应商器件封装:LFPAK56D


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