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Nexperia公司器件型号：PMDXB600UNEZ

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离

功能总体描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN

所属类别：FET，MOSFET - 阵列-晶体管

系列：-

零件状态：在售

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：600mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：620 毫欧 @ 600mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：21.3pF @ 10V

功率 - 最大值：265mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装形式：6-XFDFN

Nexperia公司标准封装：DFN1010B-6

PMDXB600UNEZ的标准包装数量(SPQ)：5000 PCS