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Nexperia公司器件型号：PMV50EPEAR

制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离

功能总体描述：PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7"" Q3/

所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管

系列：-

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19.2nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：793pF @ 15V

Vgs（最大值）：±20V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：310mW（Ta）, 455mW（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 4.2A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

Nexperia公司标准封装：TO-236AB

封装形式：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

PMV50EPEAR的标准包装数量(SPQ)：3000 PCS