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PMXB40UNEZ
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Nexperia公司器件型号:PMXB40UNEZ

制造商:Nexperia USA Inc.(安世半导体)-2017年从NXP分离

功能总体描述:MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

所属类别:FET,MOSFET - 单-晶体管

系列:-

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源极电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):-

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):556pF @ 10V

Vgs(最大值):-

FET 功能:-

功率耗散(最大值):400mW(Ta),8.33W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):45 毫欧 @ 3.2A,4.5V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

Nexperia公司标准封装:DFN1010D-3

封装形式:3-XDFN

PMXB40UNEZ的标准包装数量(SPQ):5000 PCS


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