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1HN04CH-TL-W
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ON安森美半导体完整型号: 1HN04CH-TL-W

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极,4V 驱动

漏源极电压(Vdss): 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 270mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 8 欧姆 @ 140mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 0.9nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 15pF @ 20V

功率 - 最大值: 600mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装: 3-CPH


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