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2N5458G
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ON安森美半导体完整型号:2N5458G

制造厂家名称:ON Semiconductor

描述:JFET N-CH 25V 310MW TO92

系列:-

FET 类型:N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS):25V

漏源极电压 (Vdss):25V

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):2mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值:-

不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1V @ 10nA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7pF @ 15V

电阻 - RDS(开):-

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体

供应商器件封装:TO-92-3

功率 - 最大值:310mW


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