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MGSF2N02ELT1G
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ON安森美半导体完整型号:MGSF2N02ELT1G

制造厂家名称:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23

系列:-

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):20V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.8A(Ta)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):85 毫欧 @ 3.6A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.5nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):150pF @ 5V

功率 - 最大值:1.25W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)


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