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MUN5114DW1T1G
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ON安森美半导体完整型号:MUN5114DW1T1G

制造厂家名称:ON Semiconductor

描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

系列:-

晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k

电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):47k

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 5mA,10V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):250mV @ 300μA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值):500nA

频率 - 跃迁:-

功率 - 最大值:250mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363


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