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NGD8205NT4
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ON安森美半导体完整型号:NGD8205NT4

制造厂家名称:ON Semiconductor

描述:IGBT 390V 20A 125W DPAK

系列:-

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):390V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):20A

Current - Collector Pulsed (Icm):50A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):1.9V @ 4.5V,20A

功率 - 最大值:125W

Switching Energy:-

输入类型:逻辑

Gate Charge:-

25°C 时 Td(开/关)值:-/5μs

Test Condition:300V,9A,1 千欧,5V

反向恢复时间 (trr):-

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK-3


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