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ON安森美半导体完整型号: NGTB03N60R2DT4G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: IGBT 9A 600V DPAK

系列: -

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 9A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 12A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，3A

功率 - 最大值: 49W

开关能量: 50μJ（开），27μJ（关）

输入类型: 标准

栅极电荷: 17nC

25°C 时 Td（开/关）值: 27ns/59ns

测试条件: 300V，3A，30 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 65ns

封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型: 表面贴装

供应商器件封装: DPAK