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ON安森美半导体完整型号: NGTB15N60R2FG

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: IGBT 15A 600V TO220-3

系列: -

IGBT 类型: -

电压 - 集射极击穿（最大值）: 600V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 24A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 60A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，15A

功率 - 最大值: 54W

开关能量: 550μJ（开），220μJ（关）

输入类型: 标准

栅极电荷: 80nC

25°C 时 Td（开/关）值: 70ns/190ns

测试条件: 300V，15A，30 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 95ns

封装/外壳: TO-220-3 整包

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-220F-3FS