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ON安森美半导体完整型号: NGTG35N65FL2WG

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: IGBT 650V 60A 167W TO247

系列: -

IGBT 类型: 场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 70A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 120A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2V @ 15V，35A

功率 - 最大值: 300W

开关能量: 840μJ（开），280μJ（关）

输入类型: 标准

栅极电荷: 125nC

25°C 时 Td（开/关）值: 72ns/132ns

测试条件: 400V，35A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: -

封装/外壳: *

安装类型: *

供应商器件封装: *