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ON安森美半导体完整型号: NVDD5894NLT4G

制造厂家名称: ON Semiconductor

功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 64A DPAK

系列: -

FET 类型: 2 N 沟道（双）共漏

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 14A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 10 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 41nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2103pF @ 25V

功率 - 最大值: 3.8W

安装类型: *

封装/外壳: *

供应商器件封装: *