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IMH9AT110
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ROHM罗姆半导体完整型号: IMH9AT110

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

系列: -

晶体管类型: 2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极(Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基底(R1)(欧姆): 10k

电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆): 47k

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值): 68 @ 5mA,5V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值): 300mV @ 250μA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 300mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SMT6


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