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ROHM罗姆半导体完整型号: QS6K1TR

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

系列: -

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 238 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 2.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 77pF @ 10V

功率 - 最大值: 1.25W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装: TSMT6