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ROHM罗姆半导体完整型号: RGTH60TS65DGC11

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: IGBT 650V 58A 194W TO-247N

系列: -

IGBT 类型: 沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）: 650V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 58A

脉冲电流 - 集电极 (Icm): 120A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.1V @ 15V，30A

功率 - 最大值: 194W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 58nC

25°C 时 Td（开/关）值: 27ns/105ns

测试条件: 400V，30A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr）: 58ns

封装/外壳: TO-247-3

安装类型: 通孔

供应商器件封装: TO-247N