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ROHM罗姆半导体完整型号: US6J2TR

制造厂家名称: Rohm Semiconductor

功能总体简述: MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

系列: -

FET 类型: 2 个 P 沟道（双）

FET 功能: 逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）: 20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 390 毫欧 @ 1A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 2.1nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 150pF @ 10V

功率 - 最大值: 1W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 6-SMD，扁平引线

供应商器件封装: TUMT6