- 产品型号:HSG1002VE-TL-E
- 制 造 商:Renesas(瑞萨半导体)
- 出厂封装:4-MFPAK
- 功能类别:RF晶体管
- 功能描述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
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Renesas瑞萨完整型号:HSG1002VE-TL-E
制造厂家名称:Renesas Electronics America
描述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
系列:-
晶体管类型:NPN
电压 - 集射极击穿(最大值):3.5V
频率 - 跃迁:38GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益:8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大值:200mW
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35mA
安装类型:表面贴装
封装/外壳:4-SMD,鸥翼型
供应商器件封装:4-MFPAK