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STB8NM60D
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ST意法半导体公司完整型号:STB8NM60D

制造厂家名称:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK

系列:MDmesh?

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):600V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1 欧姆 @ 2.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):380pF @ 25V

功率 - 最大值:100W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB

供应商器件封装:D2PAK


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