STGD5NB120SZ-1 >>> ST芯片，深圳市诺森半导电子有限公司提供ST公司STGD5NB120SZ-1报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载，想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗？那就马上与我们联系吧！

采购STGD5NB120SZ-1？不再犹豫，找我们没错！对有长期需求的制造商，提供免费样品！从前期的产品试产到大批量生产，我们将提供性价比最高的现货供应服务！

ST意法半导体公司完整型号：STGD5NB120SZ-1

制造厂家名称：STMicroelectronics

描述：IGBT 1200V 10A 75W DPAK

系列：PowerMESH?

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：10A

Current - Collector Pulsed (Icm)：10A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，5A

功率 - 最大值：75W

Switching Energy：2.59mJ （开）， 9mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：690ns/12.1μs

Test Condition：960V, 5A, 1 千欧, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D-Pak