- 产品型号:STGWA60H65DFB
- 制 造 商:ST(意法半导体)
- 出厂封装:TO-247-3
- 功能类别:IGBT - 单路
- 功能描述:IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
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ST意法半导体公司完整型号: STGWA60H65DFB
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
系列: -
IGBT 类型: 沟道和场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值): 80A
脉冲电流 - 集电极 (Icm): 240A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2V @ 15V,60A
功率 - 最大值: 375W
开关能量: 1.59mJ(开),900μJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 306nC
25°C 时 Td(开/关)值: 66ns/210ns
测试条件: 400V,60A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr): 60ns
封装/外壳: TO-247-3
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247 长引线