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STH275N8F7-2AG
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ST意法半导体公司完整型号: STH275N8F7-2AG

制造厂家名称: STMicroelectronics

功能总体简述: MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2

系列: 自动,AEC-Q101,STripFET F7

FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压(Vdss): 80V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 180A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 2.1 毫欧 @ 90A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 193nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 13600pF @ 50V

功率 - 最大值: 315W

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型

供应商器件封装: H2Pak-2


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