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STL18N60M2
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ST意法半导体公司完整型号:STL18N60M2

制造厂家名称:STMicroelectronics

描述:MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT

系列:MDmesh II Plus

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):600V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):308 毫欧 @ 4.5A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21.5nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):791pF @ 100V

功率 - 最大值:57W

安装类型:*

封装/外壳:4-PowerFlat HV

供应商器件封装:PowerFlat(5x6)


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