- 产品型号:K4B8G0846D-BYK0
- 制 造 商:三星半导体(Samsung)
- 出厂封装:78FBGA
- 功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
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三星芯片型号:K4B8G0846D-BYK0
制造商:SAMSUNG(三星半导体)
功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器
容量:8Gb
架构:1G x 8
速率:1600 Mbps
工作电压:1.35 V
工作温度:0 ~ 85 °C
封装:78FBGA
产品状态:批量生产