- 产品型号:KMRD60014M-B512
- 制 造 商:三星半导体(Samsung)
- 出厂封装:221FBGA
- 功能类别:多制层封装芯片
- 功能描述:SAMSUNG DRAM NAND
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三星芯片型号:KMRD60014M-B512
制造商:SAMSUNG(三星半导体)
功能类别:多制层封装芯片
eStorage 密度:32 GB
eStorage 版本:嵌入式多媒体卡 5.1
DRAM 密度:32 Gb
DRAM 类型:三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
封装:221FBGA
速率:1866 Mbps
产品状态:批量生产