- 产品型号:2SK880-Y(TE85L,F)
- 制 造 商:东芝半导体(Toshiba)
- 出厂封装:USM
- 功能类别:JFET结点场效应管
- 功能描述:JFET N-CH 50V 100MW USM
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东芝半导体公司完整型号:2SK880-Y(TE85L,F)
制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage
描述:JFET N-CH 50V 100MW USM
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):50V
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):1.2mA @ 10V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):1.5V @ 100nA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):13pF @ 10V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:USM
功率 - 最大值:100mW