欢迎访问深圳市诺森半导电子有限公司官网!
首页 > 优势品牌 > Toshiba
RN1911FETE85LF
深圳市诺森半导电子有限公司提供RN1911FETE85LF报价、现货供应、技术资料下载获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格,那就马上与我们联系吧!

询价热线0755-23735286

在线客服

品牌分类

显示全部分类
详细信息

RN1911FETE85LF >>> 东芝半导体芯片,深圳市诺森半导电子有限公司提供东芝半导体公司RN1911FETE85LF报价、现货供应、功能介绍、技术资料下载,想实时获取此颗IC的全球现货库存数量及实时价格吗?那就马上与我们联系吧!

采购RN1911FETE85LF?不再犹豫,找我们没错!对有长期需求的制造商,提供免费样品!从前期的产品试产到大批量生产,我们将提供性价比最高的现货供应服务!


东芝半导体公司完整型号:RN1911FETE85LF

制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

系列:-

晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA

电压 - 集射极击穿(最大值):50V

电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k

电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):-

不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V

不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

频率 - 跃迁:250MHz

功率 - 最大值:100mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-563,SOT-666

供应商器件封装:ES6


在线客服
24小时热线电话

企业微信销售顾问