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东芝半导体公司完整型号: SSM6K217FE,LF

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，1.8V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.8A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 195 毫欧 @ 1A，8V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1.1nC @ 4.2V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 130pF @ 10V

功率 - 最大值: 500mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: SOT-563，SOT-666

供应商器件封装: ES6