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TJ20A10M3(STA4,Q,M
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东芝半导体公司完整型号: TJ20A10M3(STA4,Q,M

制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage

功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 20A TO220SIS-3

系列: -

FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 功能: 标准

漏源极电压(Vdss): 100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 20A(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 90 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 120nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5500pF @ 10V

功率 - 最大值: 35W

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-3 整包

供应商器件封装: TO-220SIS


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