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TPN7R506NH,L1Q
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东芝半导体公司完整型号:TPN7R506NH,L1Q

制造厂家名称:Toshiba Semiconductor and Storage

描述:MOSFET N-CH 30V 53A 8TSON

系列:-

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压 (Vdss):60V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):26A(Tc)

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.5 毫欧 @ 13A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 200μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 30V

功率 - 最大值:42W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerVDFN

供应商器件封装:8-TSON高级


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