- 产品型号:IRFD224PBF
- 制 造 商:Vishay(威世半导体)
- 出厂封装:4-DIP
- 功能类别:单端场效应管
- 功能描述:MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
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Vishay威世半导体原厂型号:IRFD224PBF
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):250V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):630mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.1 欧姆 @ 380mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安装类型:通孔
封装/外壳:4-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装:4-DIP,Hexdip,HVMDIP