- 产品型号:SI3993DV-T1-E3
- 制 造 商:Vishay(威世半导体)
- 出厂封装:6-TSOP
- 功能类别:场效应管阵列
- 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
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Vishay威世半导体原厂型号:SI3993DV-T1-E3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
系列:TrenchFET
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):133 毫欧 @ 2.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:830mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:6-TSOP